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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

C3D10060G 

产品描述

Diode Schottky 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263

内部编号

84-C3D10060G

#1

数量:34
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:300
最小起订量:1
香港
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#3

数量:34
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质量保障

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C3D10060G产品详细规格

规格书 C3D10060G datasheet 规格书
C3D10060G datasheet 规格书
C3D10060G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
二极管型 Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向(VR)(最大值) 600V
电流 - 平均整流(Io) 10A
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 1.8V @ 10A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 反向漏VR 50µA @ 600V
电容@ Vr,F 480pF @ 0V, 1MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 TO-263-2
包装材料 Tube
包装 3TO-263
类型 Schottky Diode
配置 Single
峰值反向重复电压 600 V
峰值平均正向电流 12 A
峰值反向电流 50 uA
峰值正向电压 1.8@10V V
峰值不重复浪涌电流 250 A
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
供应商封装形式 TO-263
标准包装名称 D2PAK
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标签 Tab
最大连续正向电流 12
包装高度 4.57(Max)
工作结温度 -55 to 175
峰值反向重复电压 600
峰值反向电流 50
峰值不重复浪涌电流 250
包装宽度 8.76(Max)
峰值正向电压 1.8@10A
PCB 2
包装长度 10.31(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
封装 Tube
电流 - Vr时反向漏电 50µA @ 600V
安装类型 Surface Mount
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.8V @ 10A
电压 - ( Vr)(最大) 600V
热阻 1.2°C/W Jc
电容@ Vr ,F 480pF @ 0V, 1MHz
供应商设备封装 TO-263-2
反向恢复时间(trr ) 0ns
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 50
电流 - 平均整流(Io ) 10A
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型 Silicon Carbide Schottky
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 11.049 x 10.312 x 4.572mm
身高 4.572mm
长度 11.049mm
最大连续正向电流 10A
最高工作温度 +175 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-263-2
峰值不重复正向浪涌电流 0.25kA
整流器类型 General Purpose
宽度 10.312mm
最大二极管电容 480 pF
正向电压下降 1.8 V
产品 Schottky Silicon Carbide Diodes
最大功率耗散 136.3 W
正向连续电流 10 A
最大反向漏泄电流 50 uA
峰值反向电压 600 V
安装风格 SMD/SMT
最大浪涌电流 250 A
封装/外壳 TO-263-2
RoHS RoHS Compliant
工作温度范围 175C
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
峰值不重复浪涌电流(最大) 90
高峰代表冯电压 600
冯页次 50
正向电压 1.8
平均。 10
删除 Compliant
associated 44510
217-36CTRE6.

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